AOS憑借新型1200V碳化硅MOS管（AOM033V120X2Q）獲得了ASPENCORE主辦的首屆“EE Awards Asia-亞洲金選獎”年度最佳Power IC獎，AOS臺灣公司總經(jīng)理周正興先生出席代表領(lǐng)獎。自2021年第一季度正式發(fā)布以來，這款1200V 碳化硅MOS管廣受市場好評，專為嚴苛的應(yīng)用要求而設(shè)計。與傳統(tǒng)的硅器件相比，具有卓越的開關(guān)性能和效率。

AOM033V120X2Q采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標準的新型1200V碳化硅MOS管。這款1200V 碳化硅MOS管為可接受15V標準柵極驅(qū)動器的TO-247-4L車規(guī)封裝，并提供行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的最低導(dǎo)通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機、電機驅(qū)動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。

與標準3腳封裝不同，使用額外的開爾文源極（Kelvin Source）感測引腳可降低封裝內(nèi)部回路上的寄生電感，使得該器件能夠在更高的開關(guān)頻率下工作。與標準封裝相比，開關(guān)損耗最多可降低75％。其柵極驅(qū)動電壓僅為15V，可以使柵極驅(qū)動器具有最廣泛的兼容性，易于在各種系統(tǒng)設(shè)計中采用。此外，αSiC MOSFET在高溫175°C下導(dǎo)通電阻的增加非常小，大幅度地降低功率損耗并進一步提高效率。

αSiC MOSFET產(chǎn)品組合目前已全面擴展，包括更廣泛的靜態(tài)導(dǎo)通電阻，以及通過AEC-Q101車規(guī)驗證標準資格的產(chǎn)品，滿足市場的應(yīng)用需求。

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