功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商AOS推出采用DFN8x8封裝的600V 110mOhm和140mOhm αMOS5™超結(jié)高壓MOSFET。αMOS5是AOS的最新一代高壓MOSFET，旨在滿足快速充電器、適配器、PC電源、服務(wù)器、工業(yè)電源、電信和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高效率和高密度需求。

AOS發(fā)布的AONV110A60和AONV140A60是兩個 600V 低阻抗型號的MOSFET，采用DFN8x8（ 8mm x 8mm x 0.9mm）開爾文驅(qū)動的封裝。與 D2PAK、DPAK 或 TO-220(F) 等其他封裝相比，DFN8x8是一種更緊湊的封裝，可提供均衡的封裝面積和散熱。64mm²的封裝面積使 AONV110A60 和 AONV140A60 成為有源橋和高密度 PFC/Flyback /LLC 架構(gòu)應(yīng)用的理想選擇。在內(nèi)部基準(zhǔn)測試中，AOS將 4 x AONV110A60 與典型的 8A GBU806 二極管整流橋在 300W 90Vac 情況下進行了比較，采用 AONV110A60 的有源橋解決方案將功率損耗降低了近 50%（采用有源橋的損耗為 3.16W，而采用傳統(tǒng)二極管整流橋的損耗為 6.12W），并將效率提高了 1.1%。這兩款 DFN8x8 器件還非常適合僅具有 PFC 和 LLC 架構(gòu)的應(yīng)用，與 D2PAK 相比，封裝面積和高度分別減少了 57% 和 80%。

除了服務(wù)器應(yīng)用，AONV110A60和AONV140A60還針對太陽能微型逆變器和超薄適配器應(yīng)用。微型逆變器開始采用通過一個逆變器從兩個面板轉(zhuǎn)換太陽能的設(shè)計趨勢，雖然額定功率加倍，但系統(tǒng)尺寸通常不會加倍。DFN8x8 封裝器件可以通過并聯(lián)而降低有效 Rdson 以及相應(yīng)的功率損耗來幫助實現(xiàn)這一目標(biāo)。DFN8x8 的開爾文驅(qū)動在高開關(guān)頻率（fsw）逆變器設(shè)計中非常受青睞，在高頻設(shè)計中，開關(guān)損耗更為顯著，需要使之最小化。在纖薄的適配器設(shè)計中，DFN8x8 器件與高開關(guān)頻率控制器和平面變壓器一起，可以輕松地將系統(tǒng)密度推升至 20W+/in3，并達到高達 93%+ 的效率（使用有源橋式電路解決方案）。

AOS高壓 MOSFET 產(chǎn)品線總監(jiān) Richard Zhang 表示：“多年前，我們難以想象高壓 DFN8x8 封裝器件會被廣泛應(yīng)用在 400W 以上的服務(wù)器系統(tǒng)，甚至有限應(yīng)用在低功率 SMPS 中，因為人們習(xí)慣于插件式或更大的封裝，例如 TO-220(F) 或 D2PAK。隨著越來越多的 DFN8x8 器件用于有源橋、PFC、半橋和全橋拓撲應(yīng)用，電源設(shè)計概念發(fā)生了巨大而迅速的變化。DFN8x8 封裝器件的價值定位很明確，它是一種具有更小的外形尺寸、更好的開關(guān)性能（Low Eon）、更高的系統(tǒng)可靠性（Low Gate Ringing）和更簡單板端規(guī)劃的高壓 SMD 封裝。AOS 將繼續(xù)為我們的客戶提供差異化的解決方案，以最好地滿足從低功率通用充電到大功率服務(wù)器、太陽能和電信整流器的應(yīng)用需求和任務(wù)配置”。

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