AOS推出AON7932功率MOSFET，AON7932應(yīng)用了PairFET專利技術(shù)，將上橋和下橋兩個MOS管集成到DFN3X3的小封裝里，實現(xiàn)了30V狀態(tài)下的高密度功率輸出。

PairFET專利技術(shù)提供的高功率輸出的功能將廣泛應(yīng)用于直流/直流條件下的各種領(lǐng)域，主要包括：網(wǎng)絡(luò)point-of-load (POL) 轉(zhuǎn)換器，高性能服務(wù)器,筆記本、臺式機、一體機電腦、和顯卡等領(lǐng)域。

AOS在DFN封裝（DFN5x6 和 DFN3x3）內(nèi)置上下橋兩個MOS管的技術(shù)上有獨到之處，AON7932只是本公司系列產(chǎn)品中的一種。這種產(chǎn)品可以在小尺寸電路板的設(shè)計上給設(shè)計者提供更多的方案選擇性和更好的性能表現(xiàn)。AON7932的針腳有獨特的設(shè)計，一邊是輸入端，另一邊是輸出端，這樣的針腳排列會簡化PCB 的layout和節(jié)省空間。

AOS低壓MOSFET產(chǎn)品線總監(jiān)Peter Wilson介紹：“AON7932 PairFET 與現(xiàn)行分立式解決方案相比具有明顯的優(yōu)勢。在負載為3A，效率仍保持在90%以上，以一片DFN3x3的封裝，實現(xiàn)了外掛兩顆MOSFET的功能，同時大大節(jié)省了空間。這種內(nèi)置雙MOS的結(jié)構(gòu)在布線中會減少PCB走線寄生電感的產(chǎn)生，從而增加效率。設(shè)計師可以方便快捷的設(shè)計出符合他們需求的方案。”

AON7932出廠時會100%檢測Rg和UIS，符合2002/95/EC無鉛規(guī)范和IEC 61249-2-21規(guī)定的無鹵規(guī)范。

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