萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）推出具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。

產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長(zhǎng)電池的使用壽命，還可以使設(shè)計(jì)變的更簡(jiǎn)單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機(jī)，電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。

AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS（ON）是目前市面上具有相同封裝的同類產(chǎn)品中最低的。在柵極電壓為2.5V時(shí)，AON7421的RDS（ON）比其它競(jìng)爭(zhēng)者要低20%。AON7423是一款低開啟門限電壓的MOSFET，低至1.5V，適合應(yīng)用在低電壓范圍的負(fù)載切換。所有的產(chǎn)品都是無(wú)鹵的而且出廠時(shí)會(huì)100%檢測(cè)Rg和UIS。

AOS低壓MOS的負(fù)責(zé)人Peter Wilson介紹：“AOS長(zhǎng)期致力于給客戶提供高效能的電源解決方案。這個(gè)系列的20V P溝道AlphaMOS產(chǎn)品設(shè)定了高功率密度和高效能的新基準(zhǔn)，符合了延長(zhǎng)電池壽命的要求。”

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