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SiTime硅晶振選型表
文章來源:億芯盛電子發(fā)布日期:2016-06-29
普通單端振蕩器XO 1-220MHz |
高性能、低抖動 <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT8208(1-80MHz) |
SiT8209(80.000001-220 MHz) | ||
低功耗系列 <3.8mA |
SiT8008(1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm) | |
SiT8009(115-137MHz) | ||
業(yè)界首款SOT23封裝振蕩器 成本更低 |
SiT2001(1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm) | |
SiT2002(115-137MHz) | ||
RTC時鐘32.768KHz 超低功耗,超高精度 |
典型值0.9uA ±20ppm |
SiT1533(2.0×1.2mm,SMD) |
SiT1532(1.5×0.8mm,CSP) | ||
SiT1630(2012 SMD,-40~105℃) | ||
業(yè)界精度最高32.768K TCXO | SiT1552(±5ppm,1.5×0.8mm) | |
差分振蕩器DXO 1-625MHz |
LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT9121(1-220MHz,2.25~3.63v) |
SiT9122(220.000001-625MHz,最小封裝可到3.2×2.5mm) | ||
壓控振蕩器VCXO 1-625MHz |
<1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL |
SiT3808(1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm) |
SiT3809(80.000001-220 MHz) | ||
<0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL |
SiT3821(1-220MHz) | |
SiT3822(220.000001-625MHz) | ||
抗沖擊寬溫振蕩器 -55℃~125℃,±20ppm MTBF 13億小時 |
AEC-Q100汽車級振蕩器 SOT23-5封裝 |
SiT2024(1-110MHz, -40~105℃, -40~125℃) |
SiT2025(115.2-137MHz) | ||
AEC-Q100汽車級振蕩器 普通SMD封裝 |
SiT8924(1-110MHz, -40~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) | |
SiT8925(220.000001-625MHz) | ||
50kg沖擊軍品級振蕩器 SOT23-5封裝 |
SiT2020(1-110MHz, -55~125℃) | |
SiT2021(119.342001-137MHz) | ||
50kg沖擊軍品級振蕩器 標準SMD封裝 |
SiT8920(1-110MHz, -55~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) | |
SiT8921(119.342001-137MHz) | ||
編程器與FP空白片 任意頻率,多種規(guī)格 |
SiT6100DK(SiTime硅晶振編程器套裝) | |
SiT800X/ SiT200X(低功耗可編程晶振空白片,6種封裝尺寸) | ||
SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000(低抖動可編程晶振空白片) | ||
SiT912X/ SiT38XX(壓控差分可編程晶振空白片,3種封裝尺寸) |
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