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與常用的硅（Si）相比，SiC器件為高壓功率半導(dǎo)體帶來諸多優(yōu)勢。英飛凌CoolSiC™肖特基二極管產(chǎn)品涵蓋600V-1200V電壓區(qū)間，為多個領(lǐng)域內(nèi)解決方案的效率和系統(tǒng)成本帶來優(yōu)化，例如服務(wù)器、通信、太陽能、照明、消費電子、PC電源和AC/DC轉(zhuǎn)換。憑借革命性CoolSiC™ 1200V SiC JFET系列產(chǎn)品及其Direct Drive技術(shù)，英飛凌以其卓越的領(lǐng)先科技助力設(shè)計人員將解決方案的效率提升至前所未有的高度。此外，客戶還可以選擇搭載SiC續(xù)流二極管的高效率IGBT功率模塊。