功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體AOS推出的AOZ5006是一個高效率的6mm×6mm功率MOSFET模塊，完全兼容英特爾的DrMOS規(guī)范。它也集成了一個雙柵極驅(qū)動器和高低側(cè)MOSFET，以提供一個高效率的DC-DC同步降壓功率級。它可用來實現(xiàn)高功率密度的降壓解決方案，適合于服務(wù)器、圖形卡和高端臺式PC應(yīng)用市場。

AOZ5006采用了AOS專有的最新溝道MOSFET技術(shù)來在開關(guān)和導(dǎo)通損耗之間實現(xiàn)一個最佳的平衡。與此同時，它還利用AOS先進的封裝技術(shù)來進一步改善效率和熱性能。在一個典型的開關(guān)頻率為300KHz的12V輸入到1.2V輸出應(yīng)用中，它允許在21A輸出時達到超過90%的效率。與TI的NexFET模塊性能相當(dāng)接近。

“AOZ5006可滿足高端計算應(yīng)用不斷上升的功率密度要求，而且整個解決方案的尺寸與分立解決方案相比可減小三分之二。”AOS功率IC產(chǎn)品部產(chǎn)品營銷總監(jiān)Song Qu說，“此外，柵極驅(qū)動器和MOSFET之間的寄生電感也降到了最小，從而允許高達1MHz的開關(guān)頻率和更快的動態(tài)響應(yīng)時間。”

AOZ5006可與廣泛的模擬和數(shù)字PWM控制器一起工作，采用QFN封裝，外形尺寸為6×6mm。

凡本網(wǎng)站未注明“文章來源”的所有作品，版權(quán)均屬于億芯盛（powersellers.com.cn），轉(zhuǎn)載請經(jīng)億芯盛授權(quán)。

凡本網(wǎng)站注明“文章來源”的信息，均轉(zhuǎn)載自其他媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表我司贊同其觀點及對其真實性負(fù)責(zé)。