萬國半導(dǎo)體（AOS）推出新一代的高效PairFET AOE6930，AOE6930非對稱封裝集成了高端和低端MOSFET，采用了AOS最新的硅技術(shù)來優(yōu)化導(dǎo)通電阻和開關(guān)特性，當(dāng)為CPU內(nèi)核供電時，在全輸出范圍可以獲得最高效率。AOE6930的新封裝采用了XSFET技術(shù)，使得器件散熱有額外的優(yōu)勢，在計算，通訊，和高功率密度的負(fù)載點電源應(yīng)用上都是理想的選擇。

最新一代的CPU要求為每一個核單獨供電，這為電源設(shè)計工程師帶來了挑戰(zhàn)，他們不得不將更多的DC/DC轉(zhuǎn)換電路放在幾乎沒有變化的面積上，同時還要改善總效率，作為最重要的功率轉(zhuǎn)換器件,具有極低的導(dǎo)通電阻，最低的開關(guān)損耗，低熱阻而緊湊的封裝對滿足設(shè)計目標(biāo)是極其重要的。AOE6930在5mm×6mmDFN 封裝內(nèi)集成了高端和低端MOSFET，其導(dǎo)通電阻最大值分別是7毫歐和1.05毫歐。低端MOSFET源極可直接接在與PCB地平面相連的裸露焊盤上，該特性給電路設(shè)計人員帶來了散熱性能提升的重大好處，對一臺筆記本電腦進(jìn)行設(shè)計測試，輸入電壓典型值19.5V,輸出1.2V 21A，和市場現(xiàn)有的方案相比，器件帶來的效率改善超過1%，溫升下降多達(dá)8度。

AOS的MOSFET產(chǎn)品線市場總監(jiān)馮雷說：“AOE6930 開創(chuàng)了AOS為CPU內(nèi)核供電電源解決方案的一個新時代，該器件是在該領(lǐng)域AOS硅片和封裝技術(shù)及其與應(yīng)用技術(shù)深入優(yōu)化的偉大結(jié)合，在效率和散熱性能上已經(jīng)顯示出比現(xiàn)有方案的優(yōu)勢。該器件并不局限于PC應(yīng)用，在其他對效率和熱設(shè)計要求業(yè)界最佳性能的高頻PWM開關(guān)電路，也是一個良好的解決方案。”

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