AOS提供采用DFN5x6和Micro-DFN3.2x2封裝以及共漏極配置的雙通道MOSFET系列。這些器件適用于電池組應(yīng)用，其中兩個N溝道MOSFET背靠背連接，以確保安全充放電并提供電壓保護(hù)。這些產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了在10V柵極驅(qū)動下還不到10mΩ的超低RSS（源到源電阻）。AON6810、AON6812和AOC4810為增強(qiáng)最新一代超極本、平板電腦中的電池組性能提供了理想的解決方案，滿足了這些應(yīng)用中電池壽命優(yōu)化所必需的低導(dǎo)通損耗要求。

AON6810、AON6812和AOC4810使用AlphaMOS™技術(shù)來實(shí)現(xiàn)較低的RDS(ON)和4kVESD保護(hù)，以增強(qiáng)電池組安全。AON6810和AON6812使用露底式DFN5x6封裝，可增強(qiáng)散熱能力。AON6812在10V電壓源驅(qū)動下具有低至8m?的最大總RSS電阻。該器件具有30V額定擊穿電壓，能夠充放電筆記本電腦的電池組，具有最少的功率損耗和熱耗散。AON6810使用內(nèi)部溫度檢測二極管提供更高一級的保護(hù)，為電池控制IC提供第一手的熱信息。通過利用AON6810的溫度檢測引腳，設(shè)計(jì)人員可以實(shí)時精確監(jiān)控MOSFET的熱狀況，以防任何異常過熱。

為了滿足超薄電池組的要求，AOC4810充分利用了AOS創(chuàng)新的微型DFN封裝，這種封裝超扁平，僅0.4mm厚。與傳統(tǒng)的CSP（芯片級封裝）不同，微型DFN的硅包封為內(nèi)核提供了全面的保護(hù)并作了出色的防潮隔離處理，因而消除了內(nèi)核修整的風(fēng)險。當(dāng)板空間是主要關(guān)注因素時，AOC4810就是理想的選擇，可進(jìn)一步增強(qiáng)功率密度。AOC4810尺寸僅為3.2mmx2mm，最大RSS級別達(dá)8.8m?，最大程度地降低了傳導(dǎo)損耗和散熱需要。

特性和優(yōu)勢：

溝槽式功率AlphaMOS(αMOSLV)技術(shù)

很低的RDS(ON)（VGS為4.5V時）

低柵極電荷

ESD保護(hù)

符合RoHS規(guī)范且無鹵素

共漏

集成溫度檢測二極管

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