萬國半導體（AOS）推出AOC3862，這是一顆具用超低內(nèi)阻的共漏雙N溝道的12V MOSFET（在4.5V驅(qū)動電壓的情況下RSS典型值為2.38mOhm）該產(chǎn)品提供最佳的源-源電阻（Rsson），為電池保護電路設計者設計更低的壓降和溫升的電池保護模塊成為可能。

AlphaDFN™ 系列MOS提供背面保護,其可以有效的提高小封裝在PCB貼片的可靠性和安全性。AOC3862特別適合于高容量電池組，這幾乎適用所有的新型智能手機。

在過去的兩年里，在智能手機電池組的設計中，兩個技術因素完全改變了保護電路的設計。首先，采用更高的充電電流，這可以極大的縮短了電池的充電時間。第二，設計師們正在利用盡可能多的空間，以盡可能的提高電池容量。這些因素決定了在有效的空間內(nèi)盡可能控制溫升在最低水平對設計師提出了額外的挑戰(zhàn)。AOC3862具有非常低的RSS，在驅(qū)電壓在4.5V驅(qū)動情況下RSS 典型值為 2.38mOhm, 3.8V 驅(qū)動情況下 RSS為 2.5mohm，這是通過減小溝道電阻和分布電阻來實現(xiàn)的。這顆器件提供的封裝是AlphaDFN 3.55X1.77mm。該封裝技術進一步提高了功耗，同時有效的提高表面貼裝的易用性并對芯片提供更好的保護。

AOS MOSFET產(chǎn)品線資深市場總監(jiān)馮雷提到：“保持電池組中的低溫是延長電池壽命和更安全的操作的關鍵。一個電池保護板被限制在一個非常有限的電池組空間內(nèi)，所以散熱總是一個大的問題。AOC3862被設計為一個超低的RSS產(chǎn)品。該產(chǎn)品為設計師在考慮如何把熱量散出去的時，提供一個從根源上減小熱產(chǎn)生的方式，從而實現(xiàn)最小溫升。”

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