萬國半導(dǎo)體AOS推出新產(chǎn)品AOC3860，為一顆12V耐壓共漏的雙N溝道MOSFET，驅(qū)動(dòng)電壓在4.5V的情況下Rss典型值為2.15mOhm。AOC3860進(jìn)一步減小保護(hù)模塊MOSFET源源電阻，這正是當(dāng)今智能手機(jī)制造商所需以更高的充電電流實(shí)現(xiàn)更快的電池充電的關(guān)鍵因素。

MOSFET是電池充電電路的關(guān)鍵部分，其需要以最小的功率損耗和溫度升高提供可靠的保護(hù)。AOC3860是AlphaDFN™系列（這是一個(gè)在電池保護(hù)模塊市場充分驗(yàn)證的產(chǎn)品系列）中最新，具有最佳的Rss和最小的安裝尺寸的產(chǎn)品。典型的RSS在4.5V電壓2.15mohm，與3.8V電壓2.25mohm。進(jìn)一步將芯片尺寸減小到3.05x1.77mm。

AOS的MOSFET資深市場總監(jiān)馮雷說：“AOC3860是我們不斷提高技術(shù)工藝和產(chǎn)品性能方面做出努力的一個(gè)很好的案例，AOC3860同我們以前發(fā)布的產(chǎn)品相比，降低了10% Rss的同時(shí)減小了14% 的尺寸。這些都充分體現(xiàn)了我們對(duì)材料以及設(shè)備設(shè)計(jì)，生產(chǎn)管控和封裝技術(shù)的改進(jìn)和提高。電池設(shè)計(jì)工程師將會(huì)發(fā)現(xiàn)AOC3860非常適合大電流需求的電池”。

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