功率半導體及芯片制造商萬國半導體AOS兩款產(chǎn)品AOTF11C60 和 AOTF20C60 -采用AlphaMOS™ II 技術的600V MOSFET。

AlphaMOS™ II技術集超結技術的低內阻特性與平面工藝的強壯性于一體，是兼顧高效率和高可靠性的理想解決方案。AOTF11C60和AOTF20C60適用于服務器電源、網(wǎng)絡通信電源、不間斷電源、光伏逆變、工業(yè)馬達控制系統(tǒng)以及LED照明等。

采用AlphaMOS II技術，只需要簡單的工藝制程就可以達到超結MOSFET的性能。AOTF11C60和AOTF20C60與市場上的同規(guī)格超結器件相比，具有更高的雪崩能量。另外AlphaMOS II系列產(chǎn)品優(yōu)化了開關參數(shù)，提高效率的同時降低了開關噪聲。 較低的RDS(ON), Ciss 和 Crss參數(shù)使得該系列產(chǎn)品完美地適用于高性能高可靠性的產(chǎn)品。

“對產(chǎn)品可靠性和輸出效率的要求與日俱增，電源工程師對高壓MOSFET的要求也越來越苛刻：既要能承受較大的反向恢復電流，又要能同時降低開關損耗與導通損耗”，萬國半導體功率器件產(chǎn)品線副總裁Yalcin Bulut提到：“AlphaMOS II系列，其特殊的結構不僅能滿足工程師上述要求，還能幫助他們開發(fā)出更加強壯可靠的電源產(chǎn)品。”

AOTF11C60 技術參數(shù)：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.4 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 108 pF typ

Qg (10V) = 30 nC typ

AOTF20C60技術參數(shù)：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.25 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 190 pF typ

Qg (10V) = 52 nC typ

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